意法半导体ST和MACOM月成功生产RF GaN-on-Silicon原型

意法半导体和世界排名前三位的电信、轻工业、国防和数据中会心半导体系统设计供应商MACOM应用系统设计控股股份有限公司日前，射频硅基氮化锂（RF GaN-on-Si）蓝本芯片制造者得到成功。基于这一研究成果，意法半导体和MACOM将之前携手，深化共同共同开发。这一谣言意义重大，因为它代表了该信息应用的主要自发性齐心协力共同开发 GaN-on-Si 应用并赢取得到成功。通过这一点，该行业更相近于得到 GaN 的可靠性占优，同时付诸 Si 的数目经济。

据统计，意法半导体制造者的蓝本晶圆和集成电路早已付诸了开销和可靠性能够，这将使它们很难有效与市场需求上原先的 LDMOS 和 GaN-on-SiC 应用公平竞争。这些蓝本现在正之前发展核对和轻工业化。意法半导体的能够是在 2022 年付诸这些重大意义。随着这一方面，意法半导体和 MACOM 早已开始讨论进一步缩小他们的希望，以延缓向市场需求出厂 RF GaN-on-Si 新产品的速度。

“该应用现已降到可靠性水平和工艺成熟度，可以有效挑战原先的 LDMOS 和 GaN-on-SiC，我们可以为包括无线能源供应在内的大批量应用提供有吸引力的开销和供应链占优，”STMicroelectronics 输出集成电路孙子该集团经理兼执行副总裁Edoardo Merli 显然,。“将 RF GaN-on-silicon 新产品一些公司是我们与 MACOM 共同共同开发的下一个极为重要重大意义，随着大大的革新，我们盼望着充分发挥这项激动人心的应用的潜力，”他补充道。

MACOM 总裁兼首席执行官 Stephen G. Daly 评论说：“我们一起之前在将 GaN-on-Si 应用带向一些公司和在应用上方面赢取良好方面。” “我们与意法半导体的共同共同开发是我们射频输出战略的极为重要交汇点，我显然我们可以在硅基氮化锂应用考虑到应用要求的能够应用中会赢得市场需求份额。”